日本工業出版(株)と(株)産業経済新聞社は、2027年3月に『先進パワー半導体ウエハ加工技術展（旧 SiC，GaN加工技術展）』を開催します。それに先立ち、来たる2026年3月に先進パワー半導体ウエハ加工技術のオンラインセミナーを開催します。3日間にわたり、各々興味深いテーマを設定し、各界の専門家の方々に講演していただきますので、奮ってご参加くださいますようお願い申し上げます。
※ オンラインツールはWebex Meetingsを使用します。使用されたことのない方は、事前接続確認を行います。
先進パワー半導体に使用される材料は、SiCやGaN以外にも、ダイヤモンドや酸化ガリウム、窒化アルミニウムなど新しいワイドバンドギャップ半導体材料に期待が集まっています。そこで、これらの材料の結晶と加工について専門家の方々に講演していただきます。
| 日時 | 演題・概要 | 講師（敬称略） |
|---|---|---|
| 13:30～14:20 | 先進パワー半導体用SiCウエハ加工技術の開発動向 | 加藤 智久 氏 （国研）産業技術総合研究所 |
| 14:30～15:20 | ダイヤモンド基板の開発と最新技術動向 | 金 聖祐 氏 Orbray(株) |
| 15:30～16:20 | 窒化ガリウム基板加工技術の現状と課題 | 千葉 翔悟 氏 (株)斉藤光学製作所 |
半導体の製造工程は、「ウエハ製造」と、半導体チップを作り込む「前工程」、チップを切り出してパッケージ化し完成させる「後工程」から成り、「前工程」や「後工程」においても機械加工技術は重要な役割を果たしています。そこで、デバイスプロセスにおける基板加工技術について各専門家の方々に講演していただきます。
| 日時 | 演題・概要 | 講師（敬称略） |
|---|---|---|
| 13:30～14:20 | 先進パワー半導体ウエハのダイシング技術 | 阿部 耕三 氏 ノイエテクノラボ |
| 14:30～15:20 | 先進パワー半導体ウエハにおける最新研削加工技術 | 五十嵐 健二 氏 (株)東京精密 |
| 15:30～16:20 | 先進パワー半導体ウエハの化学反応を利用した新規加工技術 | 佐野 泰久 氏 大阪大学大学院工学研究科 |
先進パワー半導体ウエハ製造の重要な部分を担う研削・研磨工程には、砥石や研磨材スラリー、研磨パッドなどの工具および副資材が使われ、加工性能を左右する重要な位置を占めています。そこで、これらについて専門家の方々に講演していただきます。
| 日時 | 演題・概要 | 講師（敬称略） |
|---|---|---|
| 13:30～14:20 | SiCウエハ用CMPスラリーの技術動向 | 高見 信一郎 氏 (株)フジミインコーポレーテッド |
| 14:30～15:20 | 先進パワー半導体ウエハ用研削砥石の性能と特徴 | 谷川 豪 氏 オグラ宝石精機工業(株) |
| 15:30～16:20 | 先進パワー半導体ウエハCMP用パッド | 佐藤 誠 氏 ノリタケ(株) |
※プログラムは都合により変更することがありますのでご了承下さい。
※お申込方法：必要事項を下記フォームにご記入の上、お申込み下さい。
お申込み確認後、日本工業出版より受講票と会場地図、請求書をお送りしますので指定の口座にお振込みをお願い申し上げます。
※受講料は原則受講日の３日前までにお支払い下さい。
＊ 定員制のため、お申込み後のキャンセルはご遠慮下さい。
＊ お申込み後のキャンセルは、下記の通りキャンセル料が発生いたします。
受講日の10日前から受講料の50％／受講日の5日前から受講料の100％のお支払いになりますのでご了承下さい。
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