日本工業出版(株)と(株)産業経済新聞社は、来たる2025年3月に『SiC，GaN加工技術展』を開催致します。それに先立ち、今年2024年6月に、SiC,GaN半導体基板の加工技術に関する興味深い内容のセミナーを開催し、関係する方々に最新の情報を発信いたしますので奮ってご参加ください。
※日工Webセミナー：受講者の皆様は、任意の場所（自宅・職場など）で聴講できます。設定は簡単！ お申し込みの方には別途参加方法をご案内いたします。
※講義資料はPDFで配信いたします。
| 時間 | 演題・概要 | 講師（敬称略） |
|---|---|---|
| 13：30～14：20 | パワー半導体用SiCウェハ加工技術の課題と開発動向 | 加藤 智久 (国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター |
| SiCウェハは8インチが市販の台頭となる時代を迎え、各国の産業化競争も激化している。一方、ウェハの大口径化に伴い、その加工も確実に技術難度が増している。新しいSiCウェハ製造技術開発の例を紹介しながら、今後の国際競争力の確保に向けた議論を進めたい。 | ||
| 14：30～15：20 | GaNウェハ加工の課題と最新技術動向 | 曾田 英雄 長岡技術科学大学 技学研究院 機械系 |
| GaNウェハの加工技術に関し、現状の量産加工プロセスについて解説するとともに、最新の加工技術や、加工表面の分析技術・評価技術についても紹介する。 | ||
| 15：30～16：20 | ダイヤモンドウェハの産業利用とその作成技術の最新動向 | 山田 英明 (国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター |
| パワー半導体としてのダイヤモンドの可能性と現状における課題を解説する。また、ウェハの大型化のための合成技術およびウェハ加工における現状の課題と対策について紹介する。 |
| 時間 | 演題・概要 | 講師（敬称略） |
|---|---|---|
| 13：30～14：20 | マルチワイヤ放電スライス技術 | 糸数 篤 三菱電機株式会社 産業メカトロニクス製作所 |
| 半導体で使用される高硬度な導電性素材を多数枚同時にスライス加工できる放電加工技術を紹介する。 | ||
| 14：30～15：20 | SiCウェハのレーザスライシング技術 | 山田 洋平 埼玉大学 機械工学・システムデザイン学科 |
| レーザスライシング技術の基礎・特徴、SiCウェハの加工事例を紹介するとともに、現状の課題である加工時間の短縮や加工後の表面状態の更なる向上について解説する。 | ||
| 15：30～16：20 | GaNウェハのレーザスライシング技術 | 田中 敦之 名古屋大学 未来材料・システム研究所 |
| GaNのレーザスライシングの加工事例や実デバイス上での評価について紹介する。また、レーザスライシングの課題点についても明らかにする。 |
| 時間 | 演題・概要 | 講師（敬称略） |
|---|---|---|
| 13：30～14：20 | SiCウェハの大口径化と最新加工技術 | 五十嵐 健二 株式会社東京精密 半導体社 |
| SiCウェハの大口径化に対応した研削加工技術として、エッジグラインダー、高剛性研削盤を紹介する。また、最新の研磨加工技術についても紹介する。 | ||
| 14：30～15：20 | SiCの専用研磨スラリーを用いたCMP加工技術 | 高見 信一郎 株式会社フジミインコーポレーテッド シリコン開発部 |
| SiC専用研磨スラリーを用いたCMPについて、その加工メカニズムから量産化のための技術、および仕上げ面品質まで研磨スラリー視点で解説する。 | ||
| 15：30～16：20 | 表面改質を援用したGaN基板のテープ研磨 | 水谷 正義 東北大学 グリーン未来創造機構 |
| OHラジカルの酸化作用による表面改質と研磨テープによる加工を組み合わせた、窒化ガリウム（GaN）の高速・低ダメージ加工法について紹介する。 |
| 時間 | 演題・概要 | 講師（敬称略） |
|---|---|---|
| 13：30～14：20 | SiC，GaN単結晶の欠陥検出とその加工ダメージ検出への適用可能性 | 石川 由加里 一般財団法人ファインセラミックスセンター |
| Etch pit法，XRT，EBSD，TEM，多光子励起顕微鏡, 光学顕微鏡, Raman について、各手法の原理と特徴を解説する。また、各種評価手法による SiC，GaNの欠陥検出について紹介する。 | ||
| 14：30～15：20 | ミラー電子式検査装置によるSiCウェハ加工ダメージ非破壊管理の魅力 | 小林 健二 株式会社日立ハイテク ナノテクノロジーソリューション事業統括本部 |
| SiCウェハの加工ダメージの非破壊検査を可能にするミラー電子式検査装置について、測定原理から欠陥評価の実例を紹介する。 | ||
| 15：30～16：20 | X線回折法を用いた先進パワー半導体基板の結晶性評価 -XRD、XRC、XRT- | 稲葉 克彦 株式会社リガク X線研究所 先端解析技術研究部 |
| X線回折法の基礎、及び単結晶材料の評価に用いられるX線回折法としてXRDとXRCを解説頂くとともに、X線トポグラフィ法について実例と共に解説する。 |
※プログラムは都合により変更することがありますのでご了承下さい。
※お申込方法：必要事項を下記フォームにご記入の上、お申込み下さい。
お申込み確認後、日本工業出版より請求書をお送りしますので指定の口座にお振込みをお願い申し上げます。
※受講料は原則受講日の３日前までにお支払い下さい。
＊ 定員制のため、お申込み後のキャンセルはご遠慮下さい。
＊ お申込み後のキャンセルは、下記の通りキャンセル料が発生いたします。
受講日の10日前から受講料の50％／受講日の5日前から受講料の100％のお支払いになりますのでご了承下さい。
《個人情報の取り扱いについて》お申込みの際お預かりしたご住所やEメールなどは事務連絡の他、日本工業出版からのご案内（新刊・セミナー案内、各種サービス）に使用する場合があります。
